|
|||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Win |
|||||||
|
|
|
|
|
|
Дата последней модификации: 17 июня 2000 г. |
|
Универсальный экстрактор параметров SPICE-моделей |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
За последние несколько лет широкое распространение получила программа моделирования электронных схем SPICE, став, фактически, мировым стандартом в своей области. Эта программа с успехом применяется как при проектировании БИС/СБИС, так и при разработке различных схем на дискретных элементах. Единственная трудность, возникающая при использовании программы SPICE, заключается в необходимости определения значений параметров моделей, встроенных в эту программу. Существует два основных способа идентификации (экстракции) значений параметров моделей. Первый способ—определение значений параметров путем обработки экспериментальных данных, вид которых определяется физическим смыслом каждого параметра. Такой путь делает задачу идентификации параметров трудновыполнимой, так как в этом случае отдельно для каждого параметра должна быть разработана своя методика идентификации, причем для многих параметров для этого недостаточно просто знать их физический смысл, необходимо учитывать особенности их использования в уравнениях модели. Эти методики идентификации должны предполагать использование специальных тестовых структур практически для каждого параметра, что для некоторых параметров вообще невозможно. От всех этих трудностей свободен второй способ. Методом идентификации в этом случае является нелинейная многомерная оптимизация с ограничениями. В качестве исходных данных для экстракции используются одна или семейство вольт-амперных, вольт-фарадных или температурных (в зависимости от выбранной SPICE-модели) характеристик. В ходе экстракции подбираются такие значения (из указанных диапазонов) требуемых параметров модели, при которых достигается максимально возможное приближение к экспериментальным значениям соответствующих величин рассчитанных по модели. Это обеспечивается путем минимизации целевой функции, представляющей из себя, в общем виде, сумму по всем экспериментальным точкам квадратов разности экспериментальных и соответствующих модельных значений. Этот способ идентификации параметров заложен в основу программы SPAREXT. |
количество включенных методов оптимизации |
7 |
|
количество различных видов целевой функции |
5 |
|
количество включенных моделей |
14 |
|
количество возможных типов экспериментальных зависимостей |
15 |
|
максимальное количество одновременно идентифицируемых параметров |
34 |
|
максимальное количество экспериментальных точек |
1000 |
|
максимальное количество экспериментальных кривых |
200 |
|
В программу включены следующие методы оптимизации:
симплексный метод Нелдера-Мида;
метод Хука-Дживса;
метод Давидона-Флетчера-Пауэлла;
метод Флетчера-Ривса;
метод прямого поиска;
метод Марквардта-Левенберга;
модифицированный метод наименьших квадратов.
В программе реализованы три типа целевой функции, один из которых имеет, в свою очередь, три подтипа.
Ниже использованы следующие обозначения:
Fobj |
— целевая функция; |
М |
— количество экспериментальных точек; |
Xэксп.i |
— измеренное значение; |
Xмодельi |
— вычисленное значение, соответствующее Xэксп.i |
Функция абсолютной ошибки: |
(1) |
|
Функция относительной ошибки: |
(2) |
|
Функция разностей с весами, указываемыми пользователем: |
(3) |
Тип 2 |
(4) |
|
где |
|
Тип 3 |
||
Симметричная функция относительной ошибки: |
(5) |
Значение любого из приведенных видов целевой функции может быть нормировано.
Нормирование проводится по следующей формуле:
, где Fobj под корнем -- значение рассчитанное
по одной из формул (1)-(5).
Ниже перечислены все включенные модели (для каждой модели приведен список параметров).
MOSFET1 — SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 1-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, KP, Gamma, Phi, Lambda, Ld, Wd, Is, Js.
MOSFET2 — SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 2-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, Gamma, Phi, PB, Tox, Nsub, Nfs, Xj, Ld, Wd, Uo, Ucrit, Utra, Uexp, Vmax, Neff, Delta, Is, Js.
MOSFET3 — SPICE-модель МОП транзистора (N и P-канального) 3-го уровня: Vds, Vgs, Vsb, TMP, Tnom, Gmin, Lm, Wm, Ad, As, NRd, NRs, Rsh, Rd, Rs, Vto, Gamma, Phi, Tox, Nsub, Nfs, Xj, Ld, Wd, Uo, Vmax, Delta, Is, Js, Eta, Theta, Kappa.
MOSAID — модель МОП транзистора (N и P-канал): Vds, Vgs, Vsb, Lm, Wm, DL, DW, Vto, Theta, KAPO, Rsm, CM, Kd, Be, Bi, Ks, Kn, Fermi.
CASMOS — модель МОП транзистора (N и P-канал): Vds, Vgs, Vsb, Rd, Rs, Lm, Wm, DL, DW, Vto, Phi, Beta00, Kinf, THinf, Etan, Ai, Li, Ak, Bk, ATheta, BTheta, AlphaN, Csat, Lsat.
BJT — SPICE-модель биполярного транзистор (NPN и PNP): Vbe, Vbc, TMP, Tnom, Gmin, Is, Bf, Nf, Vaf, Ikf, Ise, Ne, Br, Nr, Var, Ikr, Isc, Nc, Rb, Irb, Rbm, Re, Rc, Xtb, Eg, Xti.
JFET — SPICE-модель полевого транзистора с управляющим pn-переходом (N и P-канал): Vds, Vgs, TMP, Tnom, Gmin, Vto, Beta, Lambda, Rd, Rs, Rg, Is.
GASFET — PSpice-модель полевого n-канального GaAs транзистора: Vds, Vgs, TMP, Tnom, Eg, Gmin, Vto, Alpha, Beta, Lambda, Exp, Rd, Rs, Rg, Is.
DIODE — SPICE-модель диода: Vbias, TMP, Tnom, Gmin, Is, Rs, Ncoef, Eg, Xti, BV, Ibv.
DCAP — SPICE-модель емкости плоского pn-перехода: Vbias, TMP, Tnom, Vj, Cj0, Mcoef, Fc.
PNCAP — SPICE-модель емкости сток/истокового pn-перехода МОП транзистора: Vbias, TMP, Tnom, AREA, PRMT, Vj, Cj, Mj, Cjsw, Mjsw, Fc.
RES — температурная SPICE-модель резистора: TMP, Tnom, Rs, Tc1, Tc2, Tce.
CAP — полиномиальная SPICE-модель конденсатора: Vbias, TMP, Tnom, Tc1, Tc2, Npol.
IND — полиномиальная SPICE-модель индуктивности: Ithru, TMP, Tnom, Tc1, Tc2, Npol.
Программа допускает работу со следующими типами экспериментальных характеристик электронных элементов:
для МОП и полевых транзисторов (модели MOSFET1, MOSFET2, MOSFET3, MOSAID, CASMOS, JFET, GASFET): Ids(Vds), Gds(Vds), Ids(Vgs), lg(Ids(Vgs));
для биполярных транзисторов (модель BJT): Ic(Vce), Ib(Vbe), Ic(Vbe), lg(Ib(Vbe)), lg(Ic(Vbe));
для диодов (модель DIODE): Id(Vbias), lg(Id(Vbias));
для диодных емкостей (модели DCAP и PNCAP): C(Vbias), lg(C(Vbias));
для конденсаторов (модель CAP): C(Vbias);
для резисторов (модель RES): R(Tmp);
для индуктивностей (модель IND): L(Ithru).
Здесь: Ids — ток стока;
Gds
— дифференциальная проводимость: Gds(Vds)=(Ids(Vds+Vdincr)–Ids(Vds))/Vdincr;
Vds,
Vgs — напряжения сток-исток и затвор-исток соответственно;
Ib,
Ic — токи базы и коллектора соответственно;
Vbe,
Vce, Vbc — напряжения база-эмиттер,
коллектор-эмиттер, база-коллектор соответственно;
Id
— ток диода;
Vbias
— напряжение смещения на диоде;
C —
емкость;
R —
сопротивление;
Tmp
— температура;
L —
индуктивность;
Ithru
— ток через индуктивность.
Более подробно о программе можно узнать из руководства пользователя, загрузив его с этого сайта (см. ниже).
В настоящее время поддерживаются две компьютерные платформы:
IBM PC: SPAREXT Версия 1.31 /PC/ (Build 126/990616) для DOS/386 и Win32;
VAX/VMS: SPAREXT Версия 1.3 (VAX/VMS) (25.03.92)
Все эти версии функционально эквивалентны.
Руководства пользователя можно скачать здесь:
SPAREXT Версия 1.31 /PC/ Руководство пользователя (ZIP-файл 16161 байт)
SPAREXT Версия 1.3 (VAX/VMS) Руководство пользователя (ZIP-файл 33224 байт)
Для IBM PC существует DEMO версия, функционально эквивалентная коммерческой. Отличие состоит лишь в том, что в DEMO версии ограничены следующие параметры: максимальное количество экспериментальных точек (20); максимальное количество экспериментальных кривых (5).
SPAREXT Версия 1.31 /PC/ DEMO (Build 126/990616) (ZIP-файл 749938 байт)
По всем вопросам, пожалуйста, присылайте сообщения по E-Mail на адрес avl@beep.ru.